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NTMFS4119N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
7000
5
20
6300
5600
4900
4200
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
4
3
V DS
Q GS
QT
Q GD
V GS
16
12
3500
2800
2
8
C oss
C rss
2100
1400
700
0
0 5 10
15 20
25
30
1
0
0
5
10 15
20
25
30
I D = 18 A
T J = 25 ° C
35
4
0
40
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
8
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and
Drain ? To ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 15 V
I D = 1 A
V GS = 4.5 V
t f
6
4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t d(off)
t d(on)
t r
2
10
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
Variation vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
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NTMFS4120NT3G 功能描述:MOSFET 30V 31A Single N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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NTMFS4121NT3G 功能描述:MOSFET NFET 24A 30V 4.0MOH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4122N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 23 A, Single N-Channel, SO-8 Flat Lead